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元件参数资料
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参数目录40005
> FDMS3600S MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN
型号:
FDMS3600S
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDMS3600S PDF
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
2 N 沟道(非对称桥)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5.6 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.7V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1680pF @ 13V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
Power56
包装
标准包装
其它名称
FDMS3600SFSDKR
查看FDMS3600S代理商
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